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等离子体的光致抗蚀剂

信息来源:10bet官网中文 | 发布日期: 2018-08-15 | 浏览量:
关键词:等离子体抗蚀剂
  等离子体描述:该过程用于在光致抗蚀剂显影后去除光致抗蚀剂区域的薄残余层,这些残留膜通常厚度小于1,000埃,但是在蚀刻期间可以显着干扰图案的分辨,特别是如果图案几何形状很小(例如接触窗口)。等离子体清除剂通常可在不到一分钟的时间内除去这些残留物。
  
  将晶片或基板装载到等离子光氧的反应室中,并通过使用氧气作为工艺气体建立等离子体。如果抗蚀剂难以去除,有些人会向氧气添加4%至8%的CF4。一些人使用较低等级的氧气(含有少量水蒸气)取得了成功。
  
  建立等离子体适当的时间,通常约30秒至分钟-并且在该过程结束时将系统排放到大气中。在检查之后,晶片或样品现在准备好进行蚀刻。良好的等离子体清除工艺需要良好的均匀性。单晶圆系统,可容纳^大200晶圆或方形基板,并具有等离子或RIE配置。建议将ST1200系统用于更具挑战性的线宽几何图形,以获取有关ST1200的更多信息。
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