等离子体描述：该过程用于在光致抗蚀剂显影后去除光致抗蚀剂区域的薄残余层，这些残留膜通常厚度小于1,000埃，但是在蚀刻期间可以显着干扰图案的分辨，特别是如果图案几何形状很小（例如接触窗口）。等离子体清除剂通常可在不到一分钟的时间内除去这些残留物。
  
  将晶片或基板装载到等离子光氧的反应室中，并通过使用氧气作为工艺气体建立等离子体。如果抗蚀剂难以去除，有些人会向氧气添加4％至8％的CF4。一些人使用较低等级的氧气（含有少量水蒸气）取得了成功。
  
  建立等离子体适当的时间，通常约30秒至分钟-并且在该过程结束时将系统排放到大气中。在检查之后，晶片或样品现在准备好进行蚀刻。良好的等离子体清除工艺需要良好的均匀性。单晶圆系统，可容纳^大200晶圆或方形基板，并具有等离子或RIE配置。建议将ST1200系统用于更具挑战性的线宽几何图形，以获取有关ST1200的更多信息。