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半导体制造中等离子体灰化过程
发布时间: 2018-08-02
  在半导体制造中,等离子体灰化是从蚀刻的晶片上去除光致抗蚀剂(光敏涂层)的过程,使用等离子体源,产生称为活性物质的单原子(单原子)物质,氧氟化物是^常见的活性物质,反应性物质与光致抗蚀剂结合形成灰分,用真空泵除去灰分。
  
  通常,单原子氧等离子体是通过将低压(O2)的氧气暴露于高功率无线电波而产生的,该无线电波使其电离。该过程在真空下完成以产生等离子体。随着等离子体的形成,产生了许多可能损坏晶片的自由基。更新,更小的电路越来越容易受到这些颗粒的影响。^初,在处理室中产生等离子体,但随着消除自由基的需要增加,许多机器现在使用下游等离子体配置,其中远程地形成等离子体并且将希望的粒子引导到晶片。这允许带电粒子在到达晶片表面之前重新组合,并防止对晶片表面的损坏。
  
  通常在晶片上实行两种形式的等离子体灰化。进行高温灰化或剥离以尽可能多地去除光刻胶,而“除渣”工艺用于去除沟槽中的残留光刻胶。两个过程之间的主要区别是晶片在灰化室中暴露的温度。
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